有效降低电路EMI的技巧：因CMOS电路在时脉转换期间吸收的电流要高出平均流耗10mA的标准，而在时脉转换周期之间的流耗非常低甚至为零，所以辐射限制方法是电压和电流的峰值，不是平均值。在时脉转换过程中从电源至晶片电源接脚额电流浪涌是一个主要的辐射源，西安GJB151BEMI分析整改设备，近端位置增加旁路电容，那晶片所需的电流直接由该电容提供，避免了电流浪涌的产生，减少了杂讯。在晶片电源接脚、I/O接口、重要讯号介面等位置增加旁路电容，有助于滤除积体电路的开关杂讯，西安GJB151BEMI分析整改设备。晶片电源接脚增加旁路电容(0.1μF)处理，西安GJB151BEMI分析整改设备，电容要靠近接脚摆放。具体情况具体分析，其实 EMI 就是一种经验，熟悉整改的方法就可以。西安GJB151BEMI分析整改设备

电磁干扰是指任何在传导或电磁场伴随着电压、电流的作用而产生会降低某个装置、设备或系统的性能，或可能对生物或物质产生不良影响之电磁现象。或说电子设备都会产生传导性电磁杂讯干扰，就像传染病般地透过电源线传导电磁干扰也是变频器驱动系统的一个主要问题。在许多国家，尤其在欧洲，对任何系统可能散发的电磁干扰有严格的限制。特点：l封装小，能有效节省电路板空间；l能有效压制共模噪声；l差模截止频率＞3.5GHz；l对高速差动传输线信号几乎没有影响；l满足HDMI的TRD标准；端口类型；模拟信号输出端口（外部连接线，音频等）；数字信号输出端口（内部连接口/连接线，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信号类型一般为差分形式。浙江汽车电子EMI分析整改接地变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。

EMI整改和调试是工程师在设计中不可回避的问题：一次性很难通过昂贵的EMI一致性测试；难以捕获偶发的EMI突发信号；需要拥有较长仪器采集时间的实时频谱分析仪才可能捕获EMI突发信号；大多数频谱分析仪不是实时频谱分析仪；EMI调试中很难找到噪声来源；截短PCB线路，然后重连，才有可能找到噪声来源；很难找到导致EMI的模拟信号和/或数字信号。遇到传导测试超标问题，第一步要做的，通常是定位噪声分量主要是差模还是共模，通常的测试设备可以用来区分差共模分量，但个人觉得太麻烦，并且测试出来的是相对值，并不一定可以具备指导意义。简单的办法是，在输入端口并联一个X电容，几十nF到几百nF，如果所关心的频段测试通过了，就说明噪声的干扰主要是差模干扰，或者更准确地说，通过压低差模分量，就一定能够搞定问题。

整改方案：从传导的曲线上1MHz 前超标的情况可以看出差模电容X 太小了，所以修改了X 电容变成0。22uF。而1-5MHz 之间也超标，所以增加共模电感到50mH ，这项频率超标一般主要是有变压器的漏感造成的。在变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。（同时做了别外一个变压器，去除原变压器内部的屏蔽层，改变了变压器的绕线方式，在变压器的外面做了屏蔽并接入热地用备用）同时将MOS 管和双向二极管的散热片也接入热地。同时将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。说到EMC 的整改问题，相信接触过的工程师都会有很刻记忆。

信号端口滤波需要考虑的问题点：l端口传输信号不能由于任何原因信号不完整的问题；l普通磁珠，差分滤波器会对差分信号产生衰减，阻抗过大甚至引起差分信号时序错乱，左右信号不对称。（共模滤波器可以使差分信号顺利通过，而对共模的干扰信号呈较高阻抗）；这是我从LVDS信号线上抓的一个频谱，区域的尖峰，在频谱上一直很稳定，一般这种信号是时钟串扰到信号线上的信号，必须滤除。其他在频谱上不断跳动但是频域不会变化，这是有用的信号，不能有所破坏。将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。浙江汽车电子EMI分析整改接地

固有的电流及电压波形，以非常快速的开关时间变化。西安GJB151BEMI分析整改设备

对于电磁干扰的分析，可以从电磁能量外泄方面来考虑，如果器件向外泄露的能量越少，我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说，产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道，数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的，而是融合了很多高次谐波分量，这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定，信号上升和下降速率越快，即开关频率越高，则产生的能量越多。所以，如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变，将会产生严重的电磁辐射，这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。西安GJB151BEMI分析整改设备

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