EMI 分为传导与辐射两部分，对于 EMI 解决方案，相关理论书籍也很多，作为一位电源产品开发工程师，即使你看了很多 EMI 处理方面的书籍，但碰到处理 EMI 问题，还是无从下手，或是不能对症下药，浙江研发级EMI分析整改接地，在这儿我们不妨先抛开让人难以理解的理论，针对我们在处理实际 EMI 问题的一些经验对策总结，也欢迎有同样经验的工程师也来发表自己的看法，1MHZ 以内，以差模干扰为主。1、增大 X 电容量；2、添加差模电感；率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，，浙江研发级EMI分析整改接地。开关晶体管，MOSFET，浙江研发级EMI分析整改接地，二极管，变压器及电感谢是主要的RFI的源泉。浙江研发级EMI分析整改接地

讯号线下方的地要完整，要有完整的参考面。讯号电流经过一个低阻抗的路径返还其驱动源，能够有效减小辐射，而且由于地层的遮罩作用，使得电路对外辐射的灵敏度也会降低。如果两个电路的参考电平不一致，就会产生功能问题，如杂讯容限和逻辑开关门限电平紊乱，这个接地杂讯电压就会导致地环路干扰的产生。遮罩是好的解决EMI问题的有效方法。辐射源遮罩能够极大限度的解决EMI问题。在干扰源和干扰物件之间插入一金属遮罩物，以阻挡干扰的传播，可以做好预留设计。浙江研发级EMI分析整改接地在频谱上不断跳动但是频域不会变化，这是有用的信号，不能有所破坏。

经过两次的修改该产品顺利的符合了客户要求的标准测试。终的整改方案为：1． 将MOS 管，双向二极管的散热片面接入电源的热地。2． 将X 电容改为0.22uF。3．将共模电感改为50mH.4． 在MOS 管的D 线电路的正面串入一个插件的磁珠。去消在D、S 间并接的101 电容。5． 将变压器的绕线方式改变了一下，取消内部的屏蔽，而在外部加了一个屏蔽层。并接入热地。其实EMC 的整改主要是电源的整改因为任何产品都要有电源来供电，此处没有处理好一定会影响到其它的地方。不论是什么产品它的辐射或传导主要有这个产品内部的敏感元器件造成的。对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS 管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC 就不难搞定。而解决EMC 的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。

分析信号回流对EMI的影响，可以看到：信号和回流外部区域，由于磁场的极性相反，可以相互抵消，而中间部分是加强的，这也是对外辐射的主要来源。很明显，我们只要缩短信号和回流之间的距离，就可以更好的抵消的电磁场，同时也能降低中间加强部分的面积，很大压制EMI。但如果由于相邻的参考平面上存在缝隙等非理想因素，这就导致了回流的面积增大，低电感的耦合作用减弱，将会有更多的回流通过其它途径或者直接释放到空中，这就会导致EMI的很大增加。在两根线上的传输的信号就是差分信号。

电源DC-DC晶片的VIN接脚，合理配置电容，减少输入电源的EMI；在输出端合理配置电感或铁氧体磁珠，这样电路动态功率将从近端的电容获取，而不是从远端的电源获取，降低了杂讯干扰。另外，电源平面和地平面尽量完整。EMI又称电磁干扰是指任何在传导或电磁场伴随着电压、电流的作用而产生会降低某个装置、设备或系统的性能，或可能对生物或物质产生不良影响之电磁现象。 或说电子设备都会产生传导性电磁噪声干扰，就像传染病般地透过电源线传导 电磁干扰也是变频器驱动系统的一个主要问题。在许多国家，尤其在欧洲，对任何系统可能散发的电磁干扰有严格的限制。信号端口滤波需要考虑的问题点：l端口传输信号不能由于任何原因信号不完整的问题。广东射频EMI分析整改实验

电源平面和地平面尽量完整。浙江研发级EMI分析整改接地

对于 EMI 实际测试，整改，有经验都可以拿来大家分享，先不管理论对不对，实际结果是怎样就怎样，继续分享我的经验如下：+12V田字体输出线材上绕 CoRe（常用规格为 KN-RN250080），对辐射 60MHz-70 MHz，有改善.在次级整流管上串磁珠（常用规格为 MD-353015，MD-353012），对辐射 45MHz75MHz，120MHz-200 MHz 均有改善.一次侧地对二次侧地跨 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），此电容好是放在跨主变压器两地之间，对辐射 30MHz-60 MHz，有改善。不同的电源有不同的要求。真正的实际应用中还有很多限制的，确实如此，板框导致布局的限制，空间的限制，EMI 线路放不下，比如可控硅调光电源 X 电容不能太大，加太大了，灯会闪烁。浙江研发级EMI分析整改接地

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