从90年代末至今，近场微波成像已经引起了学者们的浓厚兴趣，但由于常规目标散射近场的复杂性，致使近场微波成像远远滞后于远场成像。近场微波成像中，西安家电灯具近场辐射实验室，着眼于潜在的应用，目标函数既可以是理想导体目标的轮廓函数，也可以是目标介电常数的分布函数。从照射天线与成像目标的相对运动方式来看，近场微波成像有两种模式：即直线扫描模式和转台模式，研究方法可分为电磁逆散射法和球背向投影法（Spherical Back Projection，西安家电灯具近场辐射实验室，简写为SBP）。其中电磁逆散射法散射机理清晰，但数学公式复杂且有很大的局限性，西安家电灯具近场辐射实验室，因而，实际中使用较少；而球背向投影法在实际中使用较多。利用球背向投影法在直线扫描模式和转台模式情况下的目标函数解析公式已经给出。超出天线以外后，电磁场就会自动脱离为能量包单独传播出去。西安家电灯具近场辐射实验室

近场工作区反射电平测试原理：采用自由空间电压驻波比法测量近场工作区反射电平，测量原理是基于微波暗室中存在有直射信号和反射信号，微波暗室中空间任意一点的场强是直射信号和反射信号的矢量合，在空间形成驻波，驻波数值的大小就反映了微波暗室内反射电平的大小。当接收天线主瓣对准发射天线时，所接收到的信号为ED。移动接收天线，则接收天线的直射信号ED与反射信号ER的相对相位将会改变，此时接收天线收到的信号幅度将产生波动，这一波动反映空间固有驻波，由此即可得到反射电平。武汉干扰源近场辐射测试仪价格远区场为弱场，其电磁场强度均较小。

为什么要进行EMC合规性预测试？随着电气电子技术的发展，家用电器产品日益普及和电子化，广播电视、邮电通讯和计算机网络的日益发达，电磁环境日益复杂和恶化，使得电气电子产品的电磁兼容 性（EMC电磁干扰EMI与电磁抗EMS）问题也受到各国有关部门和生产企业的日益重视。电子、电器产品的电磁兼容性（EMC）是一项非常重要的质量指标，它 不只关系到产品本身的工作可靠性和使用安全性，而且还可能影响到其他设备和系统的正常工作，关系到电磁环境的保护问题。

辐射区内，电磁场开始辐射，标志着远场的开始。场的强度和天线的距离成反比(1/ r3)。辐射出的正弦波和近场、远场。近场通常分为两个区域，反应区和辐射区。在反应区里，电场和磁场是很强的，并且可以单独测量。根据天线的种类，某一种场会成为主导。例如环形天线主要是磁场，环形天线就如同变压器的初级，因为它产生的磁场很大。近场和远场的边界、运行频段的波长。天线应位于正弦波左侧起始的位置。和近场类似，远场的起始也没有统一的定义。有认为是2 λ，有坚持说是距离天线3 λ或10 λ以外。还有一种说法是5λ/2π，另有人认为应该根据天线的很大尺寸D，距离为 50D2/λ。超过距离，远场分量是远大于近场分量。

实际测量时，用一个辐射单元（探头）进行一维扫描（等效的看，相当于同时激励的状态）并在计算机上用软件完成各个方向上的平面波的综合，因此，称其为数字紧缩场。这种测量方法的优点是很大降低了为实现平面波对测量系统硬件的要求。该方法不只能测量典型导体目标的RCS，而且能够对一些实用导体目标（如飞机、导弹等）小双站角的RCS进行测量。典型导体目标（如板、球、柱）小双站角的RCS测量已经完成，测得的不同方向照射待测目标后向散射方向图（照射波传播方向指向目标的方向规定为0°）及空间散射方向图与理论计算结果完全吻合；测量所得到的目标小双站角RCS的一定值与理论计算值相比较还有误差。电场要比磁场强得多，对于电压低电流大的场源(如某些感应加热设备的模具)，磁场要比电场大得多。长沙电磁场近场辐射解决方案

天线元件的电流产生磁场，方向每半个周期变换一次。西安家电灯具近场辐射实验室

辐射近场测量的研究：为了反映脉冲工作状态和消除环境及其他因素对测量数据的影响，时域测量是一个良好的解决此类问题的途径，但目前处于研究阶段。辐射近场扫频测量的研究：就一般情况而言，天线都在一个频带内工作，因此，各项电指标都是频率的函数，为了快速获得各个频率点的电指标，就需要进行扫频测量。扫频测量的理论与点频的理论完全一样，只是在探头扫描时，收发测量系统作扫频测量。近场测量对天线口径场诊断的精度和速度：近场测量对常规阵列天线口径场的诊断有较好的诊断精度，但对于很低副瓣天线阵列而言，诊断精度和速度还需要进一步研究。西安家电灯具近场辐射实验室

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