对于 EMI 实际测试，整改，有经验都可以拿来大家分享，先不管理论对不对，实际结果是怎样就怎样，继续分享我的经验如下：+12V田字体输出线材上绕 CoRe（常用规格为 KN-RN250080），对辐射 60MHz-70 MHz，有改善.在次级整流管上串磁珠（常用规格为 MD-353015，MD-353012），对辐射 45MHz75MHz，120MHz-200 MHz 均有改善.一次侧地对二次侧地跨 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），此电容好是放在跨主变压器两地之间，天津充电桩EMI分析整改接地，对辐射 30MHz-60 MHz，天津充电桩EMI分析整改接地，天津充电桩EMI分析整改接地，有改善。不同的电源有不同的要求。真正的实际应用中还有很多限制的，确实如此，板框导致布局的限制，空间的限制，EMI 线路放不下，比如可控硅调光电源 X 电容不能太大，加太大了，灯会闪烁。将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。天津充电桩EMI分析整改接地

电源DC-DC晶片的VIN接脚，合理配置电容，减少输入电源的EMI；在输出端合理配置电感或铁氧体磁珠，这样电路动态功率将从近端的电容获取，而不是从远端的电源获取，降低了杂讯干扰。另外，电源平面和地平面尽量完整。EMI又称电磁干扰是指任何在传导或电磁场伴随着电压、电流的作用而产生会降低某个装置、设备或系统的性能，或可能对生物或物质产生不良影响之电磁现象。 或说电子设备都会产生传导性电磁噪声干扰，就像传染病般地透过电源线传导 电磁干扰也是变频器驱动系统的一个主要问题。在许多国家，尤其在欧洲，对任何系统可能散发的电磁干扰有严格的限制。天津充电桩EMI分析整改接地电流的强度与闭合环路的面积成正比。

对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS 管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC 就不难搞定。而解决EMC 的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。原板上所用变压器，只在外面增加一个屏蔽层。测试可以通过不过余量很小只有1dB。显然来能保障批量生产可能造成的不确定性。根据以上的情况做了第二次修改，将变压器更新成前面提到过的改变了绕线方式的变压器。用频谱分析仪重新查看了一产品的变压器的位置和MOS 管的位置。发现MOS 管的位置曲线不是有点高，并且成有规律的波形。用频谱分别对MOS 管的G、D、S 三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源，发现D 极的辐射源大。于是我在D 极上串了一个通用的插件磁珠。

整改一个二十几瓦的电源。我就结合测试的曲线说一下我的整改经过吧。先上一个测试不通过的曲线：空间辐射的H 方向的曲线这个电源是一个25W 左右的开关电源，电源的电路图保密原因不方便上传，但可以跟大家先说明一下，此电路用了一个0。1uF 的X 电容和一个30mH 的共模电感。次级输出加了一个50uH 的工字电感。这个产品发现MOS 管和双向二极管所带的散热片都是没有接入热地的。（也就是电源初级边的电解电容的负极。变压器内有一层线圈绕制的屏蔽并接入热地。讯号电流经过一个低阻抗的路径返还其驱动源，能够有效减小辐射。

整改方案，如下：从传导的曲线上1MHz 前超标的情况可以看出差模电容X 太小了，所以修改了X 电容变成0。22uF。而1-5MHz 之间也超标，所以增加共模电感到50mH ，这项频率超标一般主要是有变压器的漏感造成的。在变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。（同时做了别外一个变压器，去除原变压器内部的屏蔽层，改变了变压器的绕线方式，在变压器的外面做了屏蔽并接入热地用备用）同时将MOS 管和双向二极管的散热片也接入热地。同时将MOS 管的D、S 两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。信号端口滤波需要考虑的问题点：l端口传输信号不能由于任何原因信号不完整的问题。上海芯片EMI分析整改接地

保持讯号路径和它的地返回线紧靠在一起将有助于小化地线环路，避免出现潜在的天线环。天津充电桩EMI分析整改接地

讯号线和接地平面之间存在讯号，辐射可以由讯号走线或者接地平面的中断所引起，所以要注意讯号走线下方的接地平面是否完整。有效降低电路EMI的技巧：因CMOS电路在时脉转换期间吸收的电流要高出平均流耗10mA的标准，而在时脉转换周期之间的流耗非常低甚至为零，所以辐射限制方法是电压和电流的峰值，不是平均值。在时脉转换过程中从电源至晶片电源接脚额电流浪涌是一个主要的辐射源，近端位置增加旁路电容，那晶片所需的电流直接由该电容提供，避免了电流浪涌的产生，减少了杂讯。天津充电桩EMI分析整改接地

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