光催化氧化的特点:

（1）光催化氧化适合在常温下将废臭气体完全氧化成无毒无害的物质，适合处理高浓度、气量大、稳定性强的有毒有害气体的废气处理。

（2）有效净化彻底：通过光催化氧化可直接将空气中的废臭气体完全氧化成无毒无害的物质，不留任何二次污染，

（3）绿色能源：光催化氧化利用人工紫外线灯管产生的真空波紫外光作为能源来活化光催化剂，驱动氧化—还原反应，而且光催化剂在反应过程中并不消耗，利用空气中的氧作为氧化剂，有效地降解有毒有害废臭气体成为光催化节约能源的比较大特点。

（4）氧化性强：半导体光催化具有氧化性强的特点，对臭氧难以氧化的某些有机物如三氯甲烷、四氯化炭、六氯苯、都能有效地加以分解，所以对难以降解的有机物具有特别意义，光催化的有效氧化剂是羟基自由基（OH-）和超氧离子自由基（O2-、0-），其氧化性高于常见的臭氧、双氧水、高锰酸钾、次氯酸等。

（5）广谱性：光催化氧化对从烃到羧酸的种类众多有机物都有效，即使对原子有机物如卤代烃、染料、含氮有机物、有机磷杀虫剂也有很好的去除效果，黄山光催化氧化服务，黄山光催化氧化服务，只要经过一定时间的反应可达到完全净化。

（6）寿命长：在理论上，光催化剂的寿命是无限长的，黄山光催化氧化服务，无需更换. 光催化氧化适合在常温下将废臭气体完全氧化成无毒无害的物质。黄山光催化氧化服务

当能量高于半导体禁带宽度的光子照射半导体时，半导体的价带电子发生带间跃迁，从价带跃迁到导带，从而产生带正电荷的光致空穴和带负电荷的光生电子。光致空穴的强氧化能力和光生电子的还原能力导致半导体光催化剂引发一系列光催化反应的发生。

半导体光催化氧化的羟基自由基反应机理，得到大多数学者的认同。即当TiO2等半导体粒子与水接触时，半导体表面产生高密度的羟基。由于羟基的氧化电位在半导体的价带位置以上，而且又是表面高密度的物种，因此光照射半导体表面产生的空穴首先被表面羟基捕获，产生强氧化性的羟基自由基

黄山光催化氧化服务光催化氧化设备性能安全稳定，特别适用于高浓度易燃易爆废气的场合。

光催化过程中能产生高活性氧化物（如光致空穴，羟基自由基等），但目前单一光催化技术的推广应用还存在一些技术障碍。在放电等离子体区域填充光催化剂，以放电过程产生的大量活性物质驱动光催化剂，就可以实现光降解和等离子体降解的协同。纳米二氧化钛在低温等离子体和晕光的共同作用下可产生大量的羟基自由基。在羟基自由基、等离子体、晕光的协同作用下可以对通过间隙的空气进行杀菌消毒、降解有害有机挥发物（VOCs）和除臭除味等处理。

光催化氧化技术是在光化学氧化技术的基础上发展起来的。光化学氧化技术是在可见光或紫外光作用下使有机污染物氧化降解的反应过程。但由于反应条件所限，光化学氧化降解往往不够透彻，易产生多种芳香族有机中间体，成为光化学氧化需要克服的问题，而通过和光催化氧化剂的结合，可以较大提高光化学氧的效率。

根据光催化氧化剂使用的不同，可以分为均相光催化氧化和非均相光催化氧化。

均相光催化降解是以Fe2+或Fe3+及H2O2为介质，通过光助 - 芬顿反应产生羟基自由基使污染物得到降解。紫外光线可以提高氧化反应的效果，是一种有效的催化剂。紫外/臭氧(UV/03)组合是通过加速臭氧分解速率，提高羟基自由基的生成速度，并促使有机物形成大量活化分子，来提高难降解有机污染物的处理效率。

光催化氧化处理有机废气的原理是利用光催化剂锐钛型二氧化钛，二氧化钛作为一种新的光催化半导体材料。

光催化氧化法是目前研究较多的一项氧化技术。所谓光催化反应，就是在光的作用下进行的化学反应。光化学反应需要分子吸收特定波长的电磁辐射，受激产生分子激发态，然后会发生化学反应生成新的物质，或者变成引发热反应的中间化学产物。光催化降解中较常见的是在污染体系中投加一定量的光敏材料，同时结合一定量的光辐射，使光敏半导体在光的照射下激发产生电子-空穴对，吸附在半导体上的溶解氧、水分子等与电子-空穴作用，产生·HO等氧化性极强的自由基，再通过与污染物之间的羟基加和、取代、电子转移等形式使污染物全部或接近全部矿化。

在污染控制技术中应用光催化氧化进行水处理。黄山光催化氧化服务

光催化剂是光催化过程的关键部分，其活性的高低严重影响光催化效果。黄山光催化氧化服务

光催化氧化处理的臭氧催化材料是另一种重要材料。臭氧催化材料是在催化剂表面将光解部分185nm紫外灯产生的臭氧催化分解成氧气，几乎可以达到臭氧零排放；同时臭氧催化材料协同臭氧将VOCs分解成CO2和H2O。华钛高科通过拥有**知识产权的原位烧结技术将臭氧催化剂负载到泡沫陶瓷或者蜂窝陶瓷上，产生较多的活性位，并且活性中心不容易脱落，高效催化分解臭氧和VOCs。臭氧催化材料能催化分解臭氧和VOCs废气，而自己不发生变化，具有长期活性。黄山光催化氧化服务

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