霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。
半导体中电子迁移率（电子定向运动的平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件霍尔元件。
常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。
其中N型锗容易加工，其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好，应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大，所以输出较大，但对温度**敏感，尤其在低温范围内温度系数大；砷化铟的霍尔常数较小，温度系数也较小，南京HX6383霍尔开关，输出线性好；砷化镓的温度特性和输出线性好，是较理想的材料，但价格较贵。不同材料适用于不同场合，锑化铟适用于作为敏感元件，锗和砷化铟霍尔元件适用于测量指示仪表。
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霍尔开关怎么使用？ 霍尔器件是一种对磁场强度起反应的小型器件，只要它附近的磁场有变化它就有反应并输出相应的电压或脉冲电压（开关型霍尔器件）。
在用霍尔传感器测量直流电动机的转速时，将一个小磁铁块固定在电机的转子上，将霍尔传感器（开关型）靠近小磁铁附近，当电机转动以后，磁铁会以一定的周期靠近传感器一次，这样霍尔传感器将输出一个低电平，当小磁铁远离传感器时，传感器输出一个高电平。将这个脉冲送到单片机内部定时器，计算出脉冲一个周期的时间，就可以算出电机的转速。 中山HX6383霍尔开关华芯霍尔元件，质量霍尔元件，行业**霍尔元件，厂家直销，质量有保障。
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为： 式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁感应强度；d――导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同。 由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由 确定。
霍尔开关时使用注意事项（上）
1.霍尔是敏感器件，在使用过程以及存储过程中应注意采取静电防护措施。
2.适宜的电源电压和负载电路及工作温度是霍尔器件正常工作的先决条件，霍尔器件的供电电压，负载电流及工作温度不得超出规格书中多规定的范围。
3.所用工具，特别是焊接用的电烙铁，必须严格接上地线，以保证电烙铁不漏电，即电烙铁的铁皮是接地的，比较好选用低压恒温可调电烙铁进行焊接。
4.所有设备都应严格接地，并用检电笔逐个查明确无漏电，才能开始工作。
5.要求印制板及霍尔器件管脚严格经过清洁处理，使它与焊锡有良好的浸润性。 华芯十六年专业做霍尔元件,量大从优!为客户提供质量的产品,专业的技术支持及完善的服务!
开关型霍尔开关的内部构成和工作原理
开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔开关、放大器、斯密特触发器和输出级组成。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔开关因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。开关型霍尔开关分为双极霍尔开关，锁存型霍尔开关，单极霍尔开关和全极霍尔开关，其中全极霍尔开关又分为全极微功耗霍尔开关和全极非微功耗霍尔开关。开关型霍尔可应用于各个行业，实现替代固态开关的功能。 霍尔元件质量厂家？当然找华芯霍尔，专业霍尔元件厂家，和多家**企业长期合作。中山HX6383霍尔开关
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霍尔开关在自动取款机中的应用
自动柜员机也称为自动取款机，主要用于取款，也称为ATM。自动取款机是一种高精度的机电一体化装置，使用智能卡或磁卡实现金钱交易的自助服务，而不是银行柜台人员的工作。霍尔开关在ATM中的纸币厚度的检测和识别中起着重要的作用。霍尔开关与磁铁之间的感应用来改变检测间隔，检测间隔在霍尔开关输出端产生与变化相对应的电信号，经霍尔开关放大，霍尔开关放大后由执行机构控制分拣机构对快速移动中的计数笔记进行分拣识别。一般使用线性的霍尔开关来感应磁场的变化。如HX6659、HX6639等型号。 南京HX6383霍尔开关
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